这个设计的核心，就是将两种关键材料“强绑定”在一起。一方是铁电材料——锆掺杂的氧化铪，它是一种成熟的、能够与现有芯片制造工艺无缝兼容的记忆材料。另一方，则是光学平台——绝缘体上铌酸锂薄膜，这是光学界的明星材料，以其卓越的线性电光效应而闻名。

存储器 igzo 铌酸锂 fefet hzo 2025-09-28 15:10  7

2025年9月19日，新加坡国立大学（NUS）与POET Technologies的研究团队在国际权威期刊Nature Communications上发表了题为《Ferroelectric-Based Pockels Photonic Memory》的研究论文

存储器 communications igzo fefet 2025-09-27 09:39  11